编者按：日前，第二届全球IC企业家大会在上海举办。作为六个分论坛之一的化合物半导体产业趋势论坛同期举办，分论坛由赛迪智库集成电路研究所、中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟承办，主题为《迎接化合物半导体的产业化浪潮》，与会专家就化合物半导体材料、芯片、设备等发展现状及未来趋势进行了研讨。

中微半导体公司副总裁、MOCVD事业部总经理郭世平：对于化合物半导体来说，外延是非常重要而又与众不同的工艺，而对于不同的材料和应用，主要有分子束外延（MBE）、金属有机化学气相沉积（MOCVD）、氢化物气相外延（HVPE）、液相外延（LPE）等。MBE外延设备的结构主要有两种，一种是垂直的，另一种是水平的，当前垂直的用的比较多。MBE的优点是材料的质量非常好，但是生长的速度比较慢。LPE外延是比较早期的外延方法，这种外延设备的结构也有水平结构和垂直结构的区分。LPE外延现在用的少一些，目前在碲镉汞材料的外延上用的更多。HVPE在氮化镓和氮化铝材料外延上应用较多，目前大部分HVPE设备是自行搭建的，很少有商业化的设备，优点就是生长速率比较快。目前，化合物半导体有一些新兴应用，包括VCSEL、深紫外LED等，对外延设备都有更高的要求。垂直腔面发射激光器VCSEL用于人脸识别传感器，用的是砷化镓的外延技术，对材料的质量、厚度、均匀性要求都非常高，且主要是6英寸。应用场景非常广阔，未来每部手机都可能使用VCSEL技术。中微也在计划研制VCSEL的外延设备。深紫外LED最主要的应用是深紫外光净化水和空气，目前来说，日本和韩国的几家企业做得比较好。当前来看，深紫外LED在空气净化中应用较多，包括空调和冰箱等。水的净化要求LED的功率比较高，市场上用的还不多。但是市场前景很大，未来市场的爆发主要在水净化市场。MicroLED对外延的均匀性要求更高，波长要小于2nm，MicroLED最大的问题还是工艺非常不稳定。此外，氮化镓功率器件是否会发展到12英寸，是否会使用氮化镓做衬底，在射频应用中使用硅基氮化镓还是碳化硅基氮化镓，这些问题和挑战都对外延设备的开发提出了更高要求。